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与氩 气输入管12相连通的环形气体分布器11，其特征在于经氩气输入管12 输入的氩气气压为0. 8 x 103Pa0. 9 x 103Pa，氩气流量为30L/min。还包括设于该炉的坩埚支持器14下方和该部的排气口 13之间 的碗形的气流导向装置20，其包括设于气流导向装置20底部的中轴 孔2-l，设于所述中轴孔2-1两侧的一对电极孔2-2。本实施例的直拉式单晶生长炉包括氩气输入管12为现有技术的切克劳斯基(直拉)法硅单晶的直拉式单晶生长 炉的剖面结构示意图2为图1中的氩气输入管与环形气体分布器的结构示意图3为实施例1中直拉式单晶生长炉的气流导向装置的结构示意图4为图3的A-A剖面视图5为为图3的B-B剖面视图6为实施例1中直拉式单晶生长炉的剖面结构示意图7为实施例1中直拉式单晶生长炉的另一剖面结构示意图。具体实施方式以及设于所述中轴孔 2-1两侧并与该炉的排气口 13相对的通气孔2-3，该炉的石墨中轴21穿过所述气流导向装置20的中轴孔2-1，该炉的一对电极柱15分别穿过所述电 极孔2-2，该炉的排气口 13与气流导向装置20的各通气孔2-3相连通，气 流导向装置20的上端部2-4设于该炉的保温筒17与发热体16之间。电阻率，碳氧含量，位错密度）5设备工艺控制保6自动化控制程度7设备主要关键部件的配置等。单晶炉型号定义\单晶炉型号有两种命名方式，一种为投料量，一种为炉室直径。用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。购技术主要要求1.单晶炉装料量（单台机产能多少）2.能拉多长。氦气为主）环境中单晶炉简介编辑/单晶炉是一种在惰性气体（氮气几寸的硅棒3.拉制晶棒的成品率是多少4拉出硅棒品质（少子寿命比如85炉氩气质量等\本文由rxl，欢迎大家完善。配置出合理的热场，从而保生产出来的单晶的品质。在晶体生长分析与设计中，实验与数值是相辅相成的，其过程可以分为两个部分：（1）在阶段。
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明确划分了4个技术领域：勘探与采技术，与转化技术，发电与输配电技术和新能源技术。提到2020年，光伏发电成本降低到与常规电力相当的目标。包括2011年度的金太阳项目，太阳能光电建筑应用示范工程，以及光伏上网电价等。这些政策的和实施，对光伏产业起到了很好的推动作用。相关部门推出了一系列的激励政策2011年度在能源科技“十二五”规划中充分体现了实现由能源大国向能源强国转变制定了产业发展路线图。工业，农业和 ，甚悄悄进入每一个家庭。硅片利用介绍硅片再利用是一种从废物中分离出来的有用物质经过物理或机械成为再利用的如废玻璃，废金属，硅片。离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。分子泵，真空泵，真空流量计，plc编程，控制屏，离子泵，涡轮分子泵，螺杆真空泵，涡旋高真空泵，利用电脑计算的详尽，用以支持真正的（且昂贵）实验。由于数值模拟了一个近似真实的过程，利用这一技术可以很容易的对任何类型的变化（几何尺寸，保温材料，加热器，环境等）对晶体质量的影响出容易的判断。数值是用来获得廉价的，完整的和细节的结晶过程，以此方法用来预测晶体生长，改善晶体生长技术。举例来说，对于无经验人员，可以形象化展示熔体流动的历史点缺陷和热应力细节。
